irf3205场效应管参数 3205场效应管引脚图

IRF场效应管命名规则是什么？比如IRF3205S、IRF3205Z、IRF3205L、，他们的一个字母代表什么？

不管是半导体分立器件还是集成电路，其命名规则都是有规律可循的，

irf3205场效应管参数 3205场效应管引脚图

irf3205场效应管参数 3205场效应管引脚图

前缀一般代表生产、研发厂家、后面紧跟着是数字序号，代表具体型号，再后面是后缀，一般代表封装和温度性能（商品级、工业级、汽车级、军用级）。

IRF3205S是使用D2PaK封装，IRF3205L是TO262封装，这两个其他性能是一样的。其他参数VDSS=55V，RDS(on)=8毫欧，ID=110A，这些都是工业级的。

而IRF3205Z是汽车级的IRF3205，Z是汽车级（AUTOMOTIVE ）的代称，它的参数跟工业级不同（主要是温度性能上），VDSS = 55V，RDS(on) = 6.5mΩ，ID=75A。汽车级的质量要高于工业级，它更注重严酷温度条件下，器件性能的稳定性。

IRF3205三极管的参数是多少？

IRF3205是： 双栅场效应管。

参数：N沟、 55V 、110A 、200W、 。

3DD15是： 普通低频大功率管。

参数：硅 、NPN 、60V 、5A 、50W。

由以上对比可知，两者不属同一类型管，不能代换！

IRF3205场管可以代换IRF3710吗

可以用IRF3205代换IRF3710 ，不能用IRF3710代换IRF3205。

相关参数如下：

场效应管 IRF3205 参数是（55v，90A）

场效应管 IRF3710 的参数是（100v，57A）

代换原则是：

1、与原来原件相同；

2、替代品的参数要不小于原参数。

扩展资料：替换场效应管之好坏判断

一、定性判断MOS型场效应管的好坏

先用万用表Rx10kQ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表Rx1Q挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极

将万用表拨至Rx100档，红表笔任意接一-个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

请问P80NF55---08用3205能直接代换吗，什么型号原件能直接代替，谢谢，急急急

1、P80NF55L-08 场效应管参数：电流80A，耐压 55v。IRF3205 场效应管

2、参数： 电压55V ，电流110A 。代替件电流比原件大， 可以用IRF3205直代P80NF55---08。

可以！注意散热，pdf上80n55的内阻标着小于，而3205标着等于

请问P75NF75、IRF510 IRF3205 IRF150 IRF450场效应管的功率是多少？

常用场效应管（25N120等）参数及代换

FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25 （MOSFET）V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0.Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60BRHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540NFQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC） 单IGBT/MOSFETFET驱动IC RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220 RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220 RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35WFQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75WFQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/W/TO262FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220

irf3205，场效应管irf3205参数，要那个 irf3205中文资料

irf3205就是mos管，耐压50v，过电流90A,直接去电子市场买3205也很容易，买不到的话，可以用BUK7510替代，还有网友提到的75n75也是可以的，耐压都是够的，就是电流不是那么大；不过用在上是没问题的；在安装的时候注意，将功率管的散热片一定要上紧，这样在过大电流的时候，热量能够在较短的时间内散出，不容易损坏。

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110A 55V 8mΩ N-MOSFET

IRF3205是什么管，场管吗？参数是多少？

IRF3205是就是mos管，耐压50v，过电流90A,直接去电子市场买3205的就行。

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输N沟道mos管符号一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管，叫做场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

亲，早上好，很开心为你解答【摘要】

IRF3205三极管的参数是多少？【提问】

亲，早上好，很开心为你解答【回答】

MOS场效应管，电子市场很容易买到的。大概3块钱左右。鱼机常用的有P75NF75、60N06等都可代换。